在半导体衬底材料领域，硅（Si）衬底材料是半导体应用广泛、可获得尺寸较大、器件工艺较成熟的半导体材料；碳化硅（SiC）材料以其快速高效的物理特性正逐步成为第三代半导体材料的优选。随着智能电网、轨道交通、电动汽车等领域的飞速发展，为第三代半导体材料的应用提供了广阔的发展前景。 在衬底材料领域，888游戏网络平台可以提供6-12英寸硅外延系统、碳化硅外延系统、清洗机、氧化退火炉、碳化硅单晶生长炉、碳化硅退火炉等，为客户提供专业的工艺解决方案。
