半导体装备 Semiconductor

iTops Series

PVD AlN 溅射系统

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iTops Series PVD AlN 溅射系统
iTops Series PVD AlN Sputter System
iTops PVD AlN 溅射系统主要用于2、4、6英寸AlN沉积工艺。该机台为单工艺腔室设备,配备传输腔室和冷却腔室。AlN设备具有占地面积小、结构简单、操作灵活、维修方便、耗材便宜等优势;具备与国际竞争对手同等的工艺能力。
设备特点
  • 超高的加热能力、精确的温度控制、优秀的真空能力
  • 高晶体质量的氮化铝薄膜及良好的薄膜厚度均匀性
  • 占地面积小,结构简单,操作灵活,维修方便
  • 设备稳定,稼动率高,运营成本低
产品应用
  • 晶圆尺寸
    2、4、6 英寸
  • 适用材料
    氮化铝
  • 适用工艺
    氮化铝缓冲层溅射
  • 适用领域
    半导体照明
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