半导体装备 Semiconductor

GSE V200

高精度刻蚀机

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GSE V200 高精度刻蚀机
GSE V200 High Precision Etcher
GSE V200高精度等离子体刻蚀机适用于8英寸低损伤刻蚀工艺。设备具备优异的刻蚀均匀性,良好的颗粒控制能力,宽阔的工艺窗口及精确的形貌控制能力;该设备为多腔室集群设备,具备全流程的自动化解决方案。设备刻蚀材料包括GaN,SiO₂,SiN,TiO₂,TiW,AlGaInP,GaP, GaAs,AlGaN,AlN,PI等,已广泛应用于化合物半导体、Micro LED、GaN功率器件、GaN射频器件等制造中的关键工艺。
设备特点
  • 用于GaN功率器件、GaN射频器件、GaN显示器件的刻蚀设备
  • 低损伤高精度刻蚀,兼容ALE功能
  • 可调节的等离子体源设计,宽阔的工艺窗口
  • 专业的结构设计,优良的刻蚀均匀性
产品应用
  • 晶圆尺寸
    8英寸及以下
  • 适用材料
    氮化镓、氧化硅/氧化钛、砷化镓、磷化镓、铝镓铟磷、氮化硅、钨化钛、有机物等
  • 适用工艺
    多种材料刻蚀工艺
  • 适用领域
    化合物半导体、Micro LED、科研领域
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