HSE M200 深硅刻蚀机
HSE M200 Deep Silicon Etcher
- 设备特点
-
- 双等离子源和双区进气，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率
- 兼容性强，工艺种类多样，应用领域广泛，系统可靠性强
- 灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用
- 低拥有成本和运营成本
- 产品应用
-
- 晶圆尺寸8英寸及以下
- 适用材料硅、SOI、SOG
- 适用工艺深硅刻蚀
- 适用领域微机电系统、科研领域
