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THEORIS SN302D

12英寸立式低压化学气相沉积氮化硅炉

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THEORIS SN302D 12英寸立式低压化学气相沉积氮化硅炉
THEORIS SN302D 12 Inch Vertical LPCVD SiN Furnace
THEORIS SN302D主要用于12英寸晶圆上的氮化硅薄膜低压化学气相沉积工艺,可覆盖高、低温氮化硅薄膜沉积。该机台可进行全自动工艺流程,系统主要由传输模块、工艺模块、控制模块和附属设备构成。升级版系统可实现原位清洗等功能,有效控制颗粒,降低维护时间,提高设备利用率。
设备特点
  • 先进的压力控制系统
  • 高精度温度场控制技术
  • 先进的颗粒控制技术
  • 先进的微环境氧含量控制技术   
  • 高产能
产品应用
  • 晶圆尺寸
    12英寸
  • 适用材料
  • 适用工艺
    氮化硅低压化学气相沉积
  • 适用领域
    集成电路、功率半导体
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